CS4N65A4R/TND4N65 華晶代替-日本不卡一二三,烈顏兮溫徊小說メイリン モデルコレクション メ
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- VDSS
- 650V
- ID
- 4A
- RDS
- 2.4Ω
CS4N65A4R是采用自對準平面工藝制備的硅N溝道增強型dvdmosfet，降低了導通損耗，改善了開關性能，提高了雪崩能量。該晶體管可應用于各種功率開關電路中，實現(xiàn)系統(tǒng)小型化和高效率。包裝形式為TO-252，符合RoHS標準。
特征：
快速切換
低導通電阻
低門電荷
低反向轉移電容
單脈沖雪崩能量試驗
應用：
適配器和充電器的電源開關電路。
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CS4N65A4R
MOSFET,IGBT,IC集成電路,單片機
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