如今，在消費電子產(chǎn)品、通訊硬件、電動車以及家用電器等領域，在提升電源的轉換能效、功率密度以及延長電池使用的時間都存在較大的挑戰(zhàn)。這意味著電子產(chǎn)業(yè)將越來越依賴新型功率的半導體。與硅基器件相比，氮化鎵器件的效率可以提高幾個百分點，因此可以開發(fā)出更小的封裝、更容易散熱的設計、更長的運行時間以及更小的損耗。這些優(yōu)勢使氮化鎵有望取代硅成為功率器件領域新一代的寵兒。有調(diào)研數(shù)據(jù)表明，到2020年氮化鎵有望獲得的年復合增長率。

在第五屆eevia年度中國ict媒體論壇暨2016產(chǎn)業(yè)和技術展望研討會的現(xiàn)場，富士通電子元器件市場部經(jīng)理蔡振宇表示，基于氮化鎵做的功率器件，可以給電源設計帶來更高的開關頻率、更高的效率和更高的省電率。他在會上談到：“在整個功率器件發(fā)展的過程中，1970年有第一個可控硅出來。隨著時間和技術的推移，功率密度的要求逐漸提升，因此出現(xiàn)了二級的晶體管。而到了90年代末出現(xiàn)了igbt。至2000年，硅基產(chǎn)品已經(jīng)達到了物理極限?，F(xiàn)在我們要讓開關頻率進一步提高，怎么辦?現(xiàn)在整個市場上有兩個新材料，即氮化鎵和碳化硅。”

蔡振宇表示，氮化鎵和碳化硅Zui大的特點是開關頻率可以很高，因此適合高壓的應用。“氮化鎵的電子流動性會比較高，有很好的開關性能，在實驗室做起來可以有很高的速度。目前市面上很多射頻產(chǎn)品都是基于氮化鎵做的。而碳化硅是另外一個材質，它的高壓性能會比較好一些，高溫的性能比現(xiàn)有的氮化鎵好一些。但由于碳化硅很硬，要鉆石刀才能切。因此，從成本的角度來看，氮化鎵會比碳化硅更便宜?！?/p>

而除了功率的提高，氮化鎵還能使器件的尺寸大大縮小。對此，蔡振宇分析道：“隨著各方面的效率的提高，電容尺寸隨之減小，整個板的尺寸可以減少20%，體積可以減少30%。給大家?guī)砀咝省⒏◇w積的轉換器，這是氮化鎵的一個特點?！?/p>

蔡振宇認為，今年將是氮化鎵非常重要的一年。據(jù)其透露，富士通電子至今已經(jīng)推出了tph3006、tph3002、tph3205以及tph3206等產(chǎn)品。據(jù)悉，其600v的氮化鎵產(chǎn)品是第一個也是唯一通過jedec業(yè)界認證的氮化鎵產(chǎn)品?！敖衲晡覀儠瞥?00v和1200v的產(chǎn)品。而未來，我們會往高壓方向走。在低壓方面我們會做150v的產(chǎn)品。除了單顆的氮化鎵產(chǎn)品，我們也有模組的產(chǎn)品。我們的Zui終目標是做到e-mode的氮化鎵產(chǎn)品?！?/p>

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