日本住友金屬礦山株式會社于2026年9月18日宣布，成功開發(fā)出全球首款（據(jù)該公司調(diào)查）12英寸（300毫米）貼合型碳化硅（SiC）基板“SiCkrest”，并已正式啟動向半導(dǎo)體制造企業(yè)的樣品出貨。

“SiCkrest”是面向功率半導(dǎo)體的核心材料。該產(chǎn)品應(yīng)用了公司獨有的接合技術(shù)，通過將晶圓進行雙層化處理，實現(xiàn)了性能與成本的平衡。具體而言，其在低電阻的多晶SiC支撐基板上，以超薄形式貼合高品質(zhì)單晶層。該結(jié)構(gòu)在保留單晶特性的同時，有效降低了基板整體電阻，并具備抑制通電劣化的效果。

當(dāng)前功率半導(dǎo)體市場因?qū)μ嵘娏D(zhuǎn)換效率及縮小裝置體積的需求增加，SiC功率半導(dǎo)體的應(yīng)用正持續(xù)擴大。在此背景下，SiC基板的大口徑化被視為降低制造成本、提高生產(chǎn)效率的關(guān)鍵路徑之一。

住友金屬礦山表示，未來將持續(xù)擴充“SiCkrest”的應(yīng)用開發(fā)與供應(yīng)體系，致力于推動功率半導(dǎo)體市場的材料技術(shù)進步。同時，公司將依托從原材料采購到基板制造的一貫生產(chǎn)體制，以次世代器件開發(fā)合作伙伴的身份，進一步響應(yīng)客戶需求。