隨著日本半導(dǎo)體制造商向2納米及亞2納米工藝節(jié)點(diǎn)過渡，日本High-NA EUV材料市場已進(jìn)入戰(zhàn)略關(guān)鍵期。High-NA EUV技術(shù)將數(shù)值孔徑從0.33提升至0.55，在實(shí)現(xiàn)更精細(xì)圖形化的同時(shí)，對光刻膠、光酸發(fā)生劑（PAG）、金屬氧化物材料、底層涂層、頂涂層、顯影液及掩模保護(hù)套提出了全新要求。

日本本土先進(jìn)邏輯制造的研發(fā)進(jìn)展為相關(guān)材料提供了重要的國內(nèi)技術(shù)基礎(chǔ)。Rapidus正在北海道開發(fā)2納米代GAA半導(dǎo)體技術(shù)，其相關(guān)戰(zhàn)略亦在推動先進(jìn)節(jié)點(diǎn)制造與配套材料技術(shù)的協(xié)同發(fā)展。隨著特征尺寸不斷縮小，材料供應(yīng)商需同步優(yōu)化分辨率、靈敏度、線邊緣粗糙度、隨機(jī)缺陷控制、抗蝕刻性、脫氣、酸擴(kuò)散、膜均勻性及金屬污染等多項(xiàng)參數(shù)，這促使市場向高度專業(yè)化的新型材料轉(zhuǎn)型。

在核心材料領(lǐng)域，日本化工企業(yè)正加大產(chǎn)能與技術(shù)投入。ADEKA宣布投資約10億日元，在千葉工廠新增PAG生產(chǎn)線，預(yù)計(jì)將現(xiàn)有PAG生產(chǎn)能力提升約兩倍，并計(jì)劃于2028年9月啟動商業(yè)運(yùn)營。該公司同時(shí)在埼玉縣半導(dǎo)體創(chuàng)新中心加速開發(fā)適用于EUV及High-NA EUV的聚合物結(jié)合型PAG單體。此外，ADEKA已在鹿島工廠開始供應(yīng)用于下一代EUV光刻的金屬氧化物光刻膠（MOR）有機(jī)金屬化合物，并在茨城縣規(guī)劃建設(shè)專用設(shè)施以滿足未來High-NA EUV需求。

住友化學(xué)則聚焦分子級材料創(chuàng)新，正在開發(fā)基于1納米以下有機(jī)分子的次世代EUV光刻膠材料，專門針對High-NA EUV應(yīng)用。該企業(yè)指出，此類分子尺度材料可通過減小基本組分尺寸來更精準(zhǔn)地控制極細(xì)微圖形，并具備無金屬和高對比度的優(yōu)勢。與此同時(shí)，超高純度管理成為先進(jìn)節(jié)點(diǎn)的關(guān)鍵門檻。ADEKA的新產(chǎn)線設(shè)計(jì)已嚴(yán)格遵循1ppb級別的金屬污染控制標(biāo)準(zhǔn)，凸顯了微量金屬監(jiān)測、超純原材料及防污染運(yùn)輸?shù)戎圃旃芾淼谋匾浴?/p>

路透社2026年9月報(bào)道指出，全球主要半導(dǎo)體制造商正在擴(kuò)大ASML High-NA EUV技術(shù)的導(dǎo)入規(guī)模，部分企業(yè)已將目標(biāo)設(shè)定為2028年后實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。隨著High-NA設(shè)備在全球范圍內(nèi)的推廣，上游材料供應(yīng)鏈有望迎來持續(xù)增長，市場預(yù)期該領(lǐng)域的成長機(jī)會將持續(xù)至2036年。

面對技術(shù)迭代與環(huán)境法規(guī)的雙重挑戰(zhàn)，日本材料生態(tài)正朝高附加值方向深化。除傳統(tǒng)高分子光刻膠外，PFAS-Free（無氟聚合物）光刻膠系統(tǒng)、替代表面活性劑及環(huán)保型溶劑的研發(fā)已成為新的突破口。JSR、東京應(yīng)化工業(yè)、信越化學(xué)工業(yè)、富士膠片等企業(yè)憑借在先進(jìn)EUV光刻膠領(lǐng)域的既有技術(shù)積累，正通過材料供應(yīng)商、配方廠商、光刻設(shè)備商與晶圓廠之間的協(xié)同認(rèn)證體系，鞏固其在下一代半導(dǎo)體制造中的核心地位。