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onsemi推出EPP晶圓級(jí)集成技術(shù),電力密度Zui高提升4倍-婷婷的性蕩生活第二部|亞洲國(guó)產(chǎn)性色av片在線

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安森美(onsemi)發(fā)布嵌入式電源平臺(tái)(EPP),采用12英寸硅晶圓作為基板,徹底取消傳統(tǒng)微芯片鍵合線(Wire Bonding)。該技術(shù)將硅(Si)、碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等不同半導(dǎo)體工藝,以及FET、驅(qū)動(dòng)器和控制器整合至單一系統(tǒng)架構(gòu)中。通過(guò)消除數(shù)毫米長(zhǎng)的鍵合線寄生電感,EPP實(shí)現(xiàn)了電學(xué)、熱學(xué)與機(jī)械性能的協(xié)同設(shè)計(jì),宣稱相比現(xiàn)有方案可實(shí)現(xiàn)Zui高3至5倍的電力密度提升,并將開(kāi)發(fā)周期縮短至Zui短4個(gè)月。

安森美總裁兼首席執(zhí)行官哈?!ぐ枴?kù)利(Hassan El-Kouly)表示,數(shù)十年來(lái)半導(dǎo)體芯片與封裝一直作為獨(dú)立技術(shù)發(fā)展,EPP通過(guò)將硅本身納入系統(tǒng)架構(gòu)打破了這一局限。該平臺(tái)融合了先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)、制造工藝與系統(tǒng)級(jí)優(yōu)化,旨在重新定義電力系統(tǒng)構(gòu)建方式,為人工智能基礎(chǔ)設(shè)施、電氣化與自動(dòng)化提供新基礎(chǔ)。

在AI基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域,隨著機(jī)架功耗攀升,供電、轉(zhuǎn)換與保護(hù)系統(tǒng)需占用更多空間與散熱能力?;贓PP設(shè)計(jì)的固態(tài)斷路器相較傳統(tǒng)方案體積縮小約50%,運(yùn)行溫度降低20%。該技術(shù)通過(guò)減少封裝冗余并利用整體面積傳導(dǎo)熱量,有效改善熱管理并提升AI數(shù)據(jù)中心的電力密度。

針對(duì)電動(dòng)汽車牽引逆變器面臨的效率損失、熱約束與開(kāi)發(fā)復(fù)雜度問(wèn)題,EPP可提供Zui高4倍的電力密度與15%的功率損耗降低。其可擴(kuò)展架構(gòu)支持從入門(mén)到高端車型的單一逆變器平臺(tái)復(fù)用,有助于車企削減研發(fā)制造成本并加速產(chǎn)品上市。目前,斯巴魯(Subaru)已作為早期合作伙伴加入,雙方將共享工程樣品、仿真模型與技術(shù)專長(zhǎng),共同評(píng)估該平臺(tái)對(duì)未來(lái)電動(dòng)車型架構(gòu)的支持潛力。

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