德國半導體巨頭英飛凌（Infineon）近日宣布擴展其CoolGaN BDS產品線，正式推出IGK048B041S和IGK120B041S兩款新型氮化鎵（GaN）器件。這一舉措旨在應對便攜式電子設備日益嚴峻的空間限制，通過大幅減少元器件數(shù)量和縮小印刷電路板（PCB）尺寸，為智能手機、筆記本電腦及可穿戴產品的設計工程師提供更高效的解決方案。

單器件集成雙MOSFET功能，PCB面積縮減82%

據(jù)英飛凌介紹，這兩款新器件能夠將傳統(tǒng)電路中通常需要兩個背靠背連接的硅基MOSFET的功能整合至單一組件中。這種高度集成化設計不僅使元器件需求減半，更能將PCB占用面積Zui高縮減82%。在如今現(xiàn)代電子產品追求輕薄化的背景下，這一突破直接回應了工程師們在有限空間內實現(xiàn)更高性能的迫切需求。

英飛凌氮化鎵業(yè)務負責人Johannes Schoiswohl指出：“隨著消費設備不斷縮小而功耗需求持續(xù)增長，工程師面臨著‘少中求多’的巨大壓力。新款CoolGaN BDS器件正是為了解決這一挑戰(zhàn)而生?！彼M一步解釋，設計團隊可以利用現(xiàn)有的驅動布局，避免高昂的重新設計成本，從而加速產品上市進程，Zui終實現(xiàn)更精簡、更具成本效益的電源路徑。

低導通電阻與高開關效率兼顧快充需求

在技術規(guī)格方面，這兩款器件基于先進的氮化鎵技術構建，支持5V柵極驅動。它們分別采用2.1mm×2.1mm和1.7mm×1.2mm的晶圓級芯片尺寸封裝（WLCSP），完美契合空間受限的設計場景。其中，體積較大的IGK120B041S導通電阻低至4.2毫歐（mΩ），而更為緊湊的IGK048B041S則提供9毫歐的導通電阻。

相較于傳統(tǒng)解決方案，這些開關器件在開關效率和漏電流性能上均有顯著提升。其柵極電荷降低了約40%，這不僅有助于實現(xiàn)更快的開關速度，還能有效減少能量損耗，對于當前主流的快充應用場景尤為關鍵。此外，器件顯著降低的漏源極漏電流也有助于減少熱量產生，從而提升系統(tǒng)的整體可靠性。

與傳統(tǒng)依賴體二極管的硅基MOSFET不同，CoolGaN BDS器件具備電壓和電流的雙向阻斷能力。這一特性在USB過壓保護等應用中至關重要，能有效防止意外反向電流流向下游組件，保護敏感元件。同時，該器件也適用于多電源軌系統(tǒng)中的負載開關和電源復用場景。

CoolGaN BDS G3系列陣容完善

隨著這兩款新品的加入，CoolGaN BDS 40V G3家族現(xiàn)由三款器件組成，覆蓋了從低功耗可穿戴設備到高性能便攜式計算系統(tǒng)的廣泛功率需求。目前，IGK048B041S和IGK120B041S已通過英飛凌授權的分銷渠道上市供應。

歐洲市場對高效能電源管理芯片的需求正處于上升期，特別是在歐盟能效法規(guī)日益嚴格的背景下，采用氮化鎵等寬禁帶半導體技術成為提升終端產品競爭力的關鍵路徑。英飛凌此次推出的新品，不僅展示了其在第三代半導體領域的技術積累，也為全球消費電子行業(yè)應對小型化與高性能的雙重挑戰(zhàn)提供了新的硬件基礎。